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N/P/As/Sb掺杂（9,0）型碳化硅纳米管的第一性原理
作者: 戴剑锋 [1,2] ; 陈达城 [2] ; 崔春梅 [2] ; 樊学萍 [2]
关键词: 碳化硅纳米管 掺杂 第一性原理 N型半导体 P型半导体 silicon carbide nanotube doping primary principle N-type semiconductor P-type semicon- ductor
摘要：
基于第一性原理,研究（9,0）型碳化硅纳米管壁掺杂N/P/As/Sb元素对其电子结构的影响.结果表明,随着掺杂的VA族原子半径的增加,电负性的减弱,其能带结构发生较大改变,特别是As/Sb分别取代Si原子后,其能带展示出P型半导体特性,这点不同于N原子掺杂后的半金属性,P原子掺杂后表现出的N型半导体特性.计算结果说明五族元素掺杂碳化硅纳米管并不都是N型掺杂.