- · 图书馆乐享数字资源主题活动[11/26]
- · 图书馆共享党员之家活动室启用[11/26]
- · 转发:教育系统“美好‘食’光””校园系列活动主题作品征集活动通知[11/03]
- · 红柳法学大讲堂第二十八期[11/03]
- · 关于举办兰州理工大学“红柳之星”2020校园新生才艺大赛的通知[10/30]
- · “科学家精神报告团”进校园活动通知[10/28]
- · 兰州理工大学2020年秋季学期国家普通话水平测试报名通知[10/27]
- · 2020年秋季学期至2021年寒假国内外线上线下交流项目报名通知[10/20]
铈掺杂氮化硅电子结构及其光学性能的第一性原理
作者: 力一轩 [1] ; 张飞 [2] ; 郭鑫 [2] ; 尹建波 [2] ; 卢学峰 [2]
关键词: 稀土掺杂 氮化硅 电子结构 光学性能 第一性原理 rare-earth doping silicon nitride electronic structure optical properties first principle
摘要:
采用密度泛函理论下的平面波赝势方法和广义梯度近似,计算稀土元素铈掺杂氮化硅体系的电子结构及其光学性能.结果表明:随掺杂浓度的提高,能带密度逐渐增加,带隙逐渐减小,分别为1.609、1.117、0.655eV,接近半导体带隙特征;差分电荷密度图表明,随掺杂浓度的提高,铈与氮成键的共价性逐渐降低,离子性逐渐升高,并通过布居值得到验证;掺杂一个铈原子体系在低能区的介电常数和损耗较小,表明其作为电介质材料在光电器件应用中可体现较长的使用寿命,同时在可见光区具有低的吸收系数和反射率,呈现"透明型"性质,说明光在该体系中更容易传播,也表明其作为光学元件具有潜在的应用前景.
上一篇:涡旋压缩机齿顶轴向间隙的变化规律
下一篇:铝钢异种金属钎焊膏的研制及其性能